Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius

Christine Leroux (1) , Evelyne Gil (2) , Vladimir Dubrovskii , Geoffrey Avit (2) , Yamina Andre (2) , Kaddour Lekhal (3) , Jurij Grecenkov , Agnes Trassoudaine (2) , Dominique Castelluci (2) , Guillaume Monier (2) , Reda Ramdani , Christine Robert-Goumet (4) , Luc Bideux (4) , Jean Christophe Harmand (5) , Frank Glas (6)

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
2 IP - Institut Pascal
3 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University
4 LASMEA - Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique
5 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
6 LPN-CNRS / UPR 20 - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures.

Domains: Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Christine Leroux, Evelyne Gil, Vladimir Dubrovskii, Geoffrey Avit, Yamina Andre, et al.. Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius. Nano Letters, 2014, 14 (7), pp.3938 - 3944. ⟨10.1021/nl501239h⟩. ⟨hal-01727364⟩